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DBR激光二极管
DBR单频激光芯片
AlGaAs 量子阱有源层
外延层设计保证高稳定性

典型波长:

760nm/763nm:氧气探测与传感。

780nm/795nm:Rb原子精细谱线研究。

852nm/895nm:Cs原子精细谱线研究,原子钟、太赫兹波发生。

785nm:拉曼光谱学与传感。

918nm-921.7nm:倍频产生蓝光。

976nm:倍频产生蓝绿光,掺镱光纤泵浦源(窄线宽)

1064nm:替代DPSS固体激光器应用,光纤放大器种子源,差频应用。

1083nmHe磁强计。

核心技术: 

l DBR单频激光芯片

l AlGaAs 量子阱有源层

l 外延层设计保证高稳定性

特点:

l 多种封装形式

l 脉冲模式输出

或高功率连续输出

l 高斜率效率

PHxxxDBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束,应用包括:Rb原子精密谱线研究,量子加密,时间计量学,磁强计等。

PH780DBR技术参数:

储存温度

0-80

工作温度

5-70

正向电流(连续模式输出),T=25

150mA

正向电流(脉冲模式输出),T=25

脉冲宽度:300ns

 

0.3A

激光反向电压

0.0V

光电二极管正向电流 1/2/

5.0mA

光电二极管反向电压 1/2/

20.0V

光电二极管暗电流,VR=10V1/2/

50nA

TEC电流 1/2/

-2.0—2.0A

TEC电压 1/2/

-6—6V

热敏电阻电流 1/2/

1.0mA

热敏电阻电压 1/2/

10V

连续模式输出技术参数(T=25℃)

中心波长@150mA

778-782nm(可调谐)

输出功率@150mA

406080100120mW

斜率效率(蝶形封装)

0.36W/A

斜率效率(TO-8封装)

0.75W/A

阈值电流

50mA

激光二极管电阻值

2.0Ω

正向电压@150mA

2.0V

热敏电阻阻值@25℃,1/2/

10KΩ

光电二极管暗电流,VR=10V1/2/

50nA

激光线宽@150mA

0.7MHz

偏振消光比,1/

-19dB

光束发散角@FWHM

6x26°

边模抑制比

-30dB

激光偏振

TE

模式结构

基模

1/蝶形封装   2/TO-8封装

 

注意事项:

此激光二极管是静电敏感器件,操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。

 
脚注信息
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